| Zugriffsnummer | 49757 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel |
| Peer Review | unbekannt |
| Sprache | Deutsch |
| Titel | Metrologie zur Identifikation und Charakterisierung von Materialdefekten an GaN- und SiC-Wafern |
| Autor(in); Institution |
Grundmann, Jana; 4.2, Bild- und Wellenoptik, PTB-Braunschweig
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| Quelle/Jahr | DGaO Proceedings 2022:(2022) |
| ISSN | 1614-8436 (PDF) |
| Persistent Identifier | |
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| Konferenzangaben | 123. Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft für angewandte Optik, Pforzheim, 07-11, Juni, 2022, Deutschland |
| Zusammenfassung | Zur Detektion von Materialdefekten auf Verbindungshalbleitern ist eine Defektinspektion mit hoher Empfindlichkeit nötig. Unterschiedliche Materialdefekte werden mit verschiedenen Messverfahren analysiert und die Eignung der Verfahren untersucht. |
| Themenbereich der Metrologie | Nanometrologie |
| Forschungsprojekt | 20IND09: PowerElec: Metrology in manufacturing compound semiconductors for power electronics |
| Förderinformationen (1) |
Förderername: European Commission (EC)
Förderer ID: 0000 0001 2242 8989 Förderer ID Typ: ISNI Förderprogramm: EMPIR 2020 Industry Titel der Förderung: 20IND09: PowerElec: Metrology in manufacturing compound semiconductors for power electronics Förderungsnummer: 20IND09 URI der Förderung: https://powerelec.eu/ |