Optical analysis of Al-layer oxidation during Nb/Al2O3-Al/Nb Josephson junction fabrication

Dolata, Ralf; Neuhaus, M.; Jutzi, W.

doi:https://doi.org/10.1016/0011-2275(94)90069-8

	Datensatz noch nicht abgeschlossen
Zugriffsnummer	49189
Dokumenttyp	Zeitschriftenartikel
Peer Review	unbekannt
Sprache	Englisch
Titel	Optical analysis of Al-layer oxidation during Nb/Al2O3-Al/Nb Josephson junction fabrication
Autor(in); Institution	Dolata, Ralf; PTB-Braunschweig; Universität Karlsruhe, Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik, Karlsruhe, GERMANY Neuhaus, M.; Universität Karlsruhe, Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik, Karlsruhe, GERMANY Jutzi, W.; Universität Karlsruhe, Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik, Karlsruhe, GERMANY
Quelle/Jahr	Cryogenics: 34 (1994), 10, 833 - 835
ISSN	0011-2275 (PRINT)
DOI	https://doi.org/10.1016/0011-2275(94)90069-8
Verlag	Amsterdam: Elsevier
Zusammenfassung	The oxidation of thin Al layers on niobium has been investigated by reflectivity measurements. The simple experimental set-up allows for in situ observation of tunnel barrier growth with good time resolution. The dynamics of the Al₂O₃ layer growth is examined as a function of O₂ pressure. The observed reflectivity change during oxidation is correlated with the critical Josephson current density.

Zitierung

Dolata, R., Neuhaus, M., & Jutzi, W. (1994). Optical analysis of Al-layer oxidation during Nb/Al2O3-Al/Nb Josephson junction fabrication. Cryogenics, 34(10), 833–835. https://doi.org/10.1016/0011-2275(94)90069-8

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