| Zugriffsnummer | 48494 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel |
| Peer Review | unbekannt |
| Sprache | Englisch |
| Titel | On-chip inductive peaking to boost the silicon modulator bandwidth |
| Autor(in); Institution |
Das, Ranjan; Technische Universität Braunschweig, THz-Photonics Group, Braunschweig, GERMANY
De, Souvaraj; 2.2, Hochfrequenz und Felder, PTB-Braunschweig; Technische Universität Braunschweig, THz-Photonics Group, Braunschweig, GERMANY
Schneider, Thomas; Technische Universität Braunschweig, THz-Photonics Group, Braunschweig, GERMANY
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| Quelle/Jahr | OSA Technical Digest (Optica Publishing Group, 2021):(2021) |
| Artikelnummer | NeF1B.2 |
| ISBN | 978-1-943580-94-1 |
| DOI | |
| Verlag | OSA |
| Konferenzangaben | OSA Advanced Photonics Congress 2021, Virtual Conference, 24-28, July, 2021 |
| Zusammenfassung | We present a new method for increasing the bandwidth of integrated electro-optic modulators by compensating the large intrinsic junction capacitance and on-chip inductive peaking. Simulation shows a small signal bandwidth enhancement of more than 30%. |
| Themenbereich der Metrologie | Elektrizität und Magnetismus |
| Förderinformationen (1) |
Förderername: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)
Förderer ID: 0000 0001 2096 9829 Förderer ID Typ: ISNI Förderprogramm: Meteracom |