Lifetimes of the Si I 3p4s 1P1 and 3p3d 1P1 states

Becker, U.; Kerkhoff, H.; Kwiatkowski, M.; Schmidt, M.; Teppner, Ulrich; Zimmermann, P.

doi:https://doi.org/10.1016/0375-9601(80)90589-7

Zugriffsnummer	47664
Dokumenttyp	Zeitschriftenartikel
Peer Review	unbekannt
Sprache	Englisch
Titel	Lifetimes of the Si I 3p4s ^{1P1 and 3p3d ₁P1 states}
Autor(in); Institution	Becker, U.; Institut für Strahlungs- und Kernphysik der Technischen Universität Berlin, Berlin, GERMANY Kerkhoff, H.; Institut für Strahlungs- und Kernphysik der Technischen Universität Berlin, Berlin, GERMANY Kwiatkowski, M.; Institut für Strahlungs- und Kernphysik der Technischen Universität Berlin, Berlin, GERMANY Schmidt, M.; Institut für Strahlungs- und Kernphysik der Technischen Universität Berlin, Berlin, GERMANY Teppner, Ulrich; 9.41, Biosignalverarbeitung, PTB-Berlin; Institut für Strahlungs- und Kernphysik der Technischen Universität Berlin, Berlin, GERMANY Zimmermann, P.; Institut für Strahlungs- und Kernphysik der Technischen Universität Berlin, Berlin, GERMANY
Quelle/Jahr	Physics Letters A: 76 (1980), 2, 125 - 127
ISSN	0375-9601 (PRINT) ; 1873-2429 (ONLINE)
DOI	https://doi.org/10.1016/0375-9601(80)90589-7
Verlag	Amsterdam: North-Holland Publ.
Zusammenfassung	A beam of metastable silicon atoms was produced by collisional dissociation of silicon molecules and selectively excited by a pulsed dye laser. The lifetimes of the excited Si I states were directly determined from the fluorescence decay curve: τ(3p4s₁P¹) = 4.1 (4) ns, τ(3p4s³P₂) = 4.4 (4) ns, τ(3p3d¹P₁) = 8.1 (5) ns.

Zitierung

Becker, U., Kerkhoff, H., Kwiatkowski, M., Schmidt, M., Teppner, U., & Zimmermann, P. (1980). Lifetimes of the Si I 3p4s 1P1 and 3p3d ₁P1 states. Physics Letters A, 76(2), 125–127. https://doi.org/10.1016/0375-9601(80)90589-7

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