Zugriffsnummer 45673
Dokumenttyp Konferenzartikel
Peer Review unbekannt
Sprache Englisch
Titel Quantum efficiency and radiation damage of silicon photodiodes in the vicinity of the Si L-absorption edge
Autor(in); Institution
Kühne, Michael; 9.23, Vakuum-UV-Strahlungsmeßtechnik, PTB-Berlin
Tegeler, Erich; 9.23, Vakuum-UV-Strahlungsmeßtechnik, PTB-Berlin
Quelle/Jahr VUV 8, Vacuum Ultraviolet Radiation Physics International Conference : Lund, Sweden, August 4 - 8, 1986 ; abstracts: 1 (1986), 281 - 284
Verlag Göteborg: Chalmers University of Technology
Konferenzangaben VUV 8, Vacuum Ultraviolet Radiation Physics International Conference, Lund, 4 - 8, August, 1986, Sweden

Zitierung

Kühne, M. & Tegeler, E. (1986). Quantum efficiency and radiation damage of silicon photodiodes in the vicinity of the Si L-absorption edge. VUV 8, Vacuum Ultraviolet Radiation Physics International Conference, Lund, 4 - 8, August, 1986, Sweden.

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