Intensity dependent deflection spectroscopy for the characterization of absorption mechanisms in semiconductors

Dickmann, Walter; Götze, Tom; Bieler, Mark; Kroker, Stefanie

doi:https://doi.org/10.1063/5.0012702

Zugriffsnummer	44490
Dokumenttyp	Zeitschriftenartikel
Peer Review	mit Peer Review
Sprache	Englisch
Titel	Intensity dependent deflection spectroscopy for the characterization of absorption mechanisms in semiconductors
Autor(in); Institution	Dickmann, Walter; 4.01, Metrologie für funktionale Nanosysteme, PTB-Braunschweig; Technische Universität Braunschweig, LENA Laboratory for Emerging Nanometrology, Braunschweig, GERMANY Götze, Tom; 2.5, Halbleiterphysik und Magnetismus, PTB-Braunschweig Bieler, Mark; 2.5, Halbleiterphysik und Magnetismus, PTB-Braunschweig Kroker, Stefanie; 4.01, Metrologie für funktionale Nanosysteme, PTB-Braunschweig; Technische Universität Braunschweig, LENA Laboratory for Emerging Nanometrology, Braunschweig, GERMANY
Quelle/Jahr	Journal of Applied Physics: 128 (2020), 1 - 11
Artikelnummer	045701
ISSN	0021-8979 (PRINT) ; 1089-7550 (ONLINE)
DOI	https://doi.org/10.1063/5.0012702
Verlag	Melville, NY: American Institute of Physics (AIP)

Kostenfreier Zugang	Open Access Hybrid
Rechteinformation	CC BY 4.0 ; Creative Commons Attribution 4.0 License

Themenbereich der Metrologie

Nanometrologie

Zitierung

Dickmann, W., Götze, T., Bieler, M., & Kroker, S. (2020). Intensity dependent deflection spectroscopy for the characterization of absorption mechanisms in semiconductors. Journal of Applied Physics, 128, 1–11. https://doi.org/10.1063/5.0012702

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