| Zugriffsnummer | 44356 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel |
| Peer Review | unbekannt |
| Sprache | Englisch |
| Titel | Structural and electronic properties of ordered (GaIn)P |
| Autor(in); Institution |
Spika, Z.; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Jiang, J.; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Zimprich, C.; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Großmann, P.; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Schaper, A.; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Stolz, W.; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Göbel, Ernst Otto; Präsidium, P, PTB-Braunschweig; Philipps-Universität Marburg, Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik, Fachbereich Geowissenschaften, Marburg, GERMANY
Werner, P.; Max Planck Institut für Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), GERMANY
Feldmann, J.; Ludwig-Maximilians-Universität, Sektion Physik, München, GERMANY
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| Quelle/Jahr | 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors: 1 (1996), 465 - 468 |
| Herausgeber(in) |
Scheffler, M.
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| ISBN | 981-02-2777-9 |
| Verlag | Singapore: World Scientific |
| Konferenzangaben | 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, 21-26, July, 1996, Germany |
| Zusammenfassung | The structural and electronic properties of ordered (GaIn)P-bulk layers grown by using modulated as well as conventional metal organic vapour phase epitaxy technique are determined by transmission electron microscopy, continuous wave and time resolved optical spectroscopy techniques. The characteristic time scale of the relaxation of the excitons to anti-phase boundaries and the recombination are presented and discussed in conjunction with the determined length scales of the ordered domains as well as with the anti-phase boundary structure. |
Zitierung
Spika, Z., Jiang, J., Zimprich, C., Großmann, P., Schaper, A., Stolz, W., Göbel, E. O., Werner, P., & Feldmann, J. (1996). Structural and electronic properties of ordered (GaIn)P. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, 21-26, July, 1996, Germany.