| Zugriffsnummer | 38600 |
| Dokumenttyp | Zeitschriftenartikel |
| Sprache | Englisch |
| Titel | The Silicon-28 lattice parameter |
| Autor(in); Institution |
Becker, Peter; 6.13, Röntgenmetrologie, PTB-Braunschweig
Kuetgens, Ulrich; 6.13, Röntgenmetrologie, PTB-Braunschweig
Stümpel, Jürgen; 6.13, Röntgenmetrologie, PTB-Braunschweig
Biernacki, Slowomir; Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin, GERMANY
Scheffler, Matthias; Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin, GERMANY
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| Quelle/Jahr | PTB-Mitteilungen: 105 (1995), 2, 95 - 98 |
| ISSN | 0030-834X |
| Verlag | Wiesbaden: Friedr. Vieweg und Sohn Verlagsgesellschaft mbH |
| Zusammenfassung | Accurate measurements of the lattice parameter of a 28Si enriched single crystal and the results of first principle calculations of the dependence of the Si lattice parameter on temperature and on isotopic composition are reported. A comparison between theoretical and experimental results demonstrates the importance of the influence of impurities on the lattice parameter. When the latter effect is taken into account it follows that the isotopically enriched crystal's lattice parameter is about 2 · 10-6 larger than that of a naturally composed Si crystal. Es wird über genaue Messungen des Gitterparameters an angereicherten 28Si - Einkristallen und über Berechnungen der Abhängigkeit des Gitterparameters von Temperatur und Isotopenzusammensetzung berichtet. Der Vergleich von experimentellen und theoretischen Ergebnissen ergibt wichtige Hinweise auf den Einfluß von Fremdatomen auf den Gitterparameter. Bei Berücksichtigung dieser Effekte erhält man für den angereicherten Siliciumkristall einen um etwa 2 · 10-6 größeren Gitterparameter als für Silizium mit natürlicher Isotopenzusammensetzung. |
