Zugriffsnummer 34315
Dokumenttyp Zeitschriftenartikel
Sprache Englisch
Titel Confinement dependence of biexcitonic binding energies in semiconductor quantum wells
Autor(in); Institution
Euteneuer, A.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Möbius, J.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Rettig, R.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Hofmann, M.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Mayer, E. J.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY; Dr. Johannes Heidenhain GmbH, Traunreut, GERMANY
Stolz, W.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Göbel, Ernst Otto; Präsidium, P, PTB-Braunschweig; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Rühle, W. W.; Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Marburg, GERMANY
Quelle/Jahr Physica Status Solidi A: 164 (1997), 1, 253 - 258
ISSN 0031-8965
DOI
Verlag Berlin: Wiley-VCH
Klassifikationscode PACS: 71.35.-y ; PACS: 73.20.Dx ; PACS: 78.66.Fd
Zusammenfassung We study the dependence of the biexciton binding energy on confinement in semiconductor quantum wells. A set of symmetrically strained (GaIn)As/Ga(PAs) quantum wells with different well depths and equal well widths is investigated by quantum beat spectroscopy based on transient degenerate four-wave mixing. The ratio of biexcitonic to excitonic binding energy increases with stronger confinement. This new experimental result is discussed in the framework of recent theoretical predictions and experimental results.

Zitierung

Euteneuer, A., Möbius, J., Rettig, R., Hofmann, M., Mayer, E. J., Stolz, W., Göbel, E. O., & Rühle, W. W. (1997). Confinement dependence of biexcitonic binding energies in semiconductor quantum wells. Physica Status Solidi A, 164(1), 253–258. https://doi.org/10.1002/1521-396x(199711)164:1(253::aid-pssa253)3.0.co;2-0

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