| Zugriffsnummer | 17243 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel |
| Sprache | Spanisch |
| Titel | Explicacion de las diferencias transfer ac-dc de voltaje en conversores termicos fabricados sobre un chip de silicio a altas frecuencias [poster] |
| Autor(in); Institution |
Scarioni, L.; Universidad de Carabobo, Facultad de Ciencias y Tecnologia, Departamento de Fisica, Valencia, VENEZUELA
Klonz, Manfred; 2.1, Gleichstrom und Niederfrequenz, PTB-Braunschweig
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| Quelle/Jahr | Simposio de Metrologia 2004: Memorias:(2004) |
| Availability | [CD-ROM] ; file name: TA-123.pdf |
| Herausgeber(in) |
Centro Nacional de Metrología, CENAM
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| Verlag | Querétaro: CENAM |
| Konferenzangaben | Simposio de Metrologia 2004, Santiago de Querétaro, 25-27, October, 2004, Mexico |
| Zusammenfassung | Se ha encontrado una explicación para las diferencias transfer ac-dc de voltaje sobre 100 kHz del conversor térmico de multiuniones de películas delgadas est.aacute.ndar (PMJTC) desarrollado en el PTB, fabricado sobre un chip de silicio. El modelo desarrollado para la simulación indica que el acoplamiento capacitivo entre los puntos de contacto del calefactor da origen a una resonancia cuando la resistencia del calefactor se incrementa, incrementando de esta manera la diferencia transfer ac-dc a valores negativos. De acuerdo al modelo se puede mejorar la respuesta en frecuencia de los conversores térmicos fabricados sobre un chip de silicio, reduciendo el tamaño de los puntos de contacto y utilizando sustratos con una constante dieléctrica m.aacute.s pequeña que la correspondiente al silicio. |
