| Zugriffsnummer | 15930 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel in Zeitschrift |
| Sprache | Englisch |
| Titel | Influence of low temperature interlayers on strain and defect density of epitaxial GaN-layers |
| Autor(in); Institution |
Rossow, U.; TU Braunschweig, Institut für Technische Physik, Braunschweig, GERMANY
Hitzel, F.; TU Braunschweig, Institut für Technische Physik, Braunschweig, GERMANY
Riedel, N.; TU Braunschweig, Institut für Technische Physik, Braunschweig, GERMANY
Lahmann, S.; TU Braunschweig, Institut für Technische Physik, Braunschweig, GERMANY
Bläsing, J.; Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Magdeburg, GERMANY
Krost, A.; Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Magdeburg, GERMANY
Ade, George; 2.404, Nanostrukturen für technische Anwendungen, PTB-Braunschweig
Hinze, Peter; 2.404, Nanostrukturen für technische Anwendungen, PTB-Braunschweig
Hangleiter, A.; TU Braunschweig, Institut für Technische Physik, Braunschweig, GERMANY
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| Quelle/Jahr | Journal of Crystal Growth: 248 (2003), 528 - 532 |
| ISSN | 0022-0248 |
| Verlag | Amsterdam: North-Holland Publ. |
| Konferenzangaben | 11th Intern. Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Berlin, 03-07, June, 2002, Germany |
| Freie Schlagworte | Defects ; Stresses ; Low press. metakorganic vopor phase epitaxy ; Nitrides ; Semiconducting III-V materials |
| Zusammenfassung | The effect of GaN and InxGa1-xN-interlayers on the strain state and defect density of GaN buffer layers is studied. The layers are grown by low pressure MOVCD on c-plane sapphire substrates and were investigated by in-situ reflectometry, AFM, PL, high resolution XRD and TEM. In addition etch pit densities are determined by wet chemical etching in hot phosphoric acid. We find that InxGa1-xN-interlayers slightly decrease the defect density and reduce the strain in the GaN buffer layers. |
