Zugriffsnummer 15829
Dokumenttyp Konferenzartikel
Sprache Deutsch
Titel Untersuchung der Eignung von Silizium-Photodioden als Monitore und Dosimeter für Elektronen hoher Energie
Autor(in); Institution
Feist, Harald; 6.11, Elektronenbeschleuniger, PTB-Braunschweig
Koep, Manfred; 6.11, Elektronenbeschleuniger, PTB-Braunschweig
Reich, Herbert; 6.1, Kernphysik, PTB-Braunschweig
Quelle/Jahr ELBA [19]71: Tagungsbericht:(1972), 449 - 455
Herausgeber(in)
Schneider, H.; Strahlenzentrum Gießen, Abteilung für Angewandte Kernphysik, Gießen, GERMANY
Verlag Leopoldshafen: Zentralstelle für Atomkernenergie-Dokumentation (ZAED)
Konferenzangaben ELBA 71, Gießen, 23-25, September, 1971, Germany
Zusammenfassung Silizium-Photoelemente vom Typ BPY 63 der Firma Siemens wurden am Mikrotron der PTB mit Elektronen von 5,8 MeV kinetischer Energie durchstrahlt, um zu prüfen, unter welchen Bedingungen sie als Monitore und Dosimeter an gepulsten Elektronenbeschleunigern verwendbar sind. Die hier interessierende Größe ist die Kurzschlußstromverstärkung des Photoelementes. Sie wurde in Abhängigkeit von der Strahlleistung und der Strahlenschädigung des Photoelementes untersucht. Durch Strahlenschädigung sinkt ihr Wert von anfangs 4000 auf 400 nach Bestrahlung mit ungefähr 2 · 1014 Elektronen/cm².

Zitierung

Feist, H., Koep, M., & Reich, H. (1972). Untersuchung der Eignung von Silizium-Photodioden als Monitore und Dosimeter für Elektronen hoher Energie. ELBA 71, Gießen, 23-25, September, 1971, Germany.

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