| Zugriffsnummer | 12580 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel |
| Sprache | Englisch |
| Titel | Properties of InAs quantum dots on silicon (001) and (111) |
| Autor(in); Institution |
Hansen, L.; Universität Würzburg, Physikalisches Institut EP III, Würzburg, GERMANY
Ankudinov, A.; Ioffe Institute, St. Petersburg, RUSSIA
Bensing, F.; Universität Würzburg, Physikalisches Institut EP III, Würzburg, GERMANY
Wagner, J.; Universität Würzburg, Physikalisches Institut EP III, Würzburg, GERMANY
Ade, George; 2.404, Elektronenstrahlmikroskopie und -lithographie, PTB-Braunschweig
Hinze, Peter; 2.404, Elektronenstrahlmikroskopie und -lithographie, PTB-Braunschweig
Wagner, V.; Universität Würzburg, Physikalisches Institut EP III, Würzburg, GERMANY
Geurts, J.; Universität Würzburg, Physikalisches Institut EP III, Würzburg, GERMANY
Waag, A.; Universität Würzburg, Physikalisches Institut EP III, Würzburg, GERMANY
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| Quelle/Jahr | Nanostructures: physics and technology:(2000), 363 - 366 |
| Herausgeber(in) |
Alferov, Zh.
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| ISBN | 5-93634-002-3 |
| Verlag | St. Petersburg: Ioffe Physico-Technical Institute |
| Konferenzangaben | 8th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 19-23, June, 2000, Russia |
| Zusammenfassung | The self assembled formation of InAs quantum dots (QDs) on silicon has been studied by RHEED, AFM, Raman, and TEM. On Si(001) up to 1011 cm-2 InAs QDs can either be grown in a conventional mode, or by utilizing a postgrowth dewetting transition at decreasing substrate temperatures. On Si(111) instead, QDs only form on an As-passivated surface. Otherwise InAs grows in large 2D clusters. |
Zitierung
Hansen, L., Ankudinov, A., Bensing, F., Wagner, J., Ade, G., Hinze, P., Wagner, V., Geurts, J., & Waag, A. (2000). Properties of InAs quantum dots on silicon (001) and (111). 8th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 19-23, June, 2000, Russia.