| Zusammenfassung |
Simple structures, such as lines and grooves, on chromium photomasks and silicon wafers, whose widths are in the range of the classical resolution limit of light microscopy or slightly below it, are imaged in the microscope using a special object scanning method. The measurement results are compared with model calculations based on the transmission cross coefficient. The dependence of the image on the spatial coherence of the illumination is investigated. The results are discussed by comparing them with different resolution criteria. They show that the classical resolution limits are no sharply defined limits. Even lines, slits and grooves whose widths are smaller than half the wavelength can be clearly imaged and their dimensions measured. The images formed of these structures are the more contrasty the higher the spatial coherence of the illumination. Einfache Strukturen, wie Stege und Gräben, auf Chrom-Photomasken und Silicium-Wafern, deren Breiten im Bereich der klassischen Auflösungsgrenze der Lichtmikroskopie oder etwas darunter liegen, werden im Mikroskop mit Hilfe eines speziellen Objektrasterverfahrens abgebildet. Die Messergebnisse werden mit Modellrechnungen basierend auf dem Transmissionskreuzkoeffizienten verglichen. Es wird die Abhängigkeit der Abbildung von der räumlichen Kohärenz der Beleuchtung untersucht. Die Ergebnisse werden im Vergleich zu verschiedenen Auflösungskriterien diskutiert. Sie zeigen, dass die klassischen Auflösungsgrenzen keine scharf definierten Grenzen darstellen. Auch Stege, Spalte und Gräben, deren Breite etwas kleiner als die halbe Wellenlänge ist, lassen sich noch deutlich abbilden und vermessen. Diese Strukturen werden um so kontrastreicher abgebildet, je höher die räumliche Kohärenz der Beleuchtung ist. |
