| Zugriffsnummer | 11250 |
| Dokumenttyp | Konferenzartikel |
| Sprache | Deutsch |
| Titel | Neue Entwicklungen bei AC-DC-Transfernormalen |
| Autor(in); Institution |
Funck, Torsten; 2.1, Gleichstrom und Niederfrequenz, PTB-Braunschweig
Klonz, Manfred; 2.1, Gleichstrom und Niederfrequenz, PTB-Braunschweig
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| Quelle/Jahr | Neue Kalibrierverfahren und Prüfmittelmanagement für die Messung elektrischer Größen ; Bericht über das 193. PTB-Seminar am 12. Mai 2004:(2004) |
| Schriftenreihe | PTB-Bericht PTB-E-87 |
| Availability | [CD-ROM] ; file name: pdf\\Funck.pdf |
| Herausgeber(in) |
Bachmair, Hans; 2, Elektrizität, PTB-Braunschweig
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| ISSN | 0341-6674 |
| ISBN | 3-86509-181-4 |
| Berichtsnummer | PTB-E-87 |
| Verlag | Bremerhaven: Wirtschaftsverl. NW, Verl. für neue Wissenschaft |
| Konferenzangaben | 193. PTB-Seminar ; Neue Kalibrierverfahren und Prüfmittelmanagement für die Messung elektrischer Größen, Braunschweig, 12, Mai, 2004, Deutschland |
| Zusammenfassung | Planare Vielfachthermokonverter (Planar Multijunction Thermal Converters, kurz PMJTCs) auf Silizium-Substrat haben als AC-DC-Transfernormale einen hohen Entwicklungsstand erreicht. Sie ermöglichen im Frequenzbereich von 10 Hz bis 1 MHz Transferdifferenzen von einigen 10-6 bis 10-4. Das Silizium-Substrat beeinflusst durch seinen endlichen Widerstand und die hohe relative Dielektrizitätskonstante das Hochfrequenzverhalten erheblich und führt so zu großen Transferdifferenzen. Da diese Einflüsse nicht mit hinreichender Präzision berechnet werden können, ist eine Kalibrierung gegen dreidimensionale Vielfachthermokonverter unumgänglich. Der Einsatz von Quarz als Substratmaterial führt zu erheblich verbessertem Hochfrequenzverhalten, so dass der nutzbare Frequenzbereich bis über 100 MHz ausgedehnt werden kann. Durch den kleinen Verlustfaktor und die kleine relative Dielektrizitätskonstante von Quarz ist die AC-DC-Transferdifferenz bis zu hohen Frequenzen präzise berechenbar. Die wesentlichen Einflussgrößen, das sind der Realteil der Heizerimpedanz, die Kapazitäten, Induktivitäten und der Skineffekt von Chip, Carrier und Zuleitungen sowie stehende Wellen in den Zuleitungen und Verbindungen, können aus der Geometrie und den Materialparamtern bestimmt werden. Mittels eines Ersatzschaltbildes mit konzentrierten Elementen kann das Frequenzverhalten der Transferdifferenz simuliert werden. |
